AndTech
東京大学 マテリアル工学専攻 / 教授 霜垣 幸浩 氏にご講演をいただきます。
株式会社AndTech（本社：神奈川県川崎市、代表取締役社長：陶山 正夫、以下 AndTech）は、R&D開発支援向けZoom講座の一環として、昨今高まりを見せる「ＡＬＤ（原子層堆積法）」のニーズに応えるべく、第一人者の講師からなる「ＡＬＤ（原子層堆積法）」講座を開講いたします。
ALDの基礎から最前線までを一日で俯瞰（明日から使えるALD最適化知識を持ち帰れます）！
本講座は、2025年11月25日開講を予定いたします。
詳細：https://andtech.co.jp/seminars/1f086f41-b5ad-6e98-867d-064fb9a95405
Live配信・WEBセミナー講習会 概要
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テーマ：ＡＬＤ（原子層堆積法）技術の最前線：基礎から最新動向まで【アーカイブ視聴可能】
開催日時：2025年11月25日(火) 10:30-16:30
参 加 費：49,500円（税込） ※ 電子にて資料配布予定
U R L ：https://andtech.co.jp/seminars/1f086f41-b5ad-6e98-867d-064fb9a95405
WEB配信形式：Zoom（お申し込み後、URLを送付）
セミナー講習会内容構成
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ープログラム・講師ー
東京大学 マテリアル工学専攻 / 教授 霜垣 幸浩 氏
本セミナーで学べる知識や解決できる技術課題
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ALDの基礎とALD Window，自己終端反応を理解し，反応/原料ガスと装置の選定，パルス・パージ・温度設計の優先順位，QCM等のその場計測の読み方，ASD/ALEの基本を実務で使える水準で身につけることができます。
本セミナーの受講形式
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WEB会議ツール「Zoom」を使ったライブLive配信セミナーとなります。
詳細は、お申し込み後お伝えいたします。
株式会社AndTechについて
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化学、素材、エレクトロニクス、自動車、エネルギー、医療機器、食品包装、建材など、
幅広い分野のR&Dを担うクライアントのために情報を提供する研究開発支援サービスを提供しております。
弊社は一流の講師陣をそろえ、「技術講習会・セミナー」に始まり「講師派遣」「出版」「コンサルタント派遣」
「市場動向調査」「ビジネスマッチング」「事業開発コンサル」といった様々なサービスを提供しております。
クライアントの声に耳を傾け、希望する新規事業領域・市場に進出するために効果的な支援を提供しております。
株式会社AndTech 技術講習会一覧
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一流の講師のＷＥＢ講座セミナーを毎月多数開催しております。
https://andtech.co.jp/seminars/search
株式会社AndTech 書籍一覧
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選りすぐりのテーマから、ニーズの高いものを選び、書籍を発行しております。
株式会社AndTech コンサルティングサービス
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経験実績豊富な専門性の高い技術コンサルタントを派遣します。
https://andtech.co.jp/business-consulting
本件に関するお問い合わせ
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株式会社AndTech 広報PR担当 青木
メールアドレス：pr●andtech.co.jp（●を@に変更しご連絡ください）
下記プログラム全項目（詳細が気になる方は是非ご覧ください）
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【講演主旨】
ALD（原子層堆積）法は、原子層サイクルで膜厚・組成を精密制御し、3次元立体構造等にも均一被覆できる技術です。ゲート絶縁膜、キャパシタ、配線バリア層に加え、コーティングなど多分野で実用化が進んでいます。供給→パージ→反応→パージ各工程は、吸着・表面反応といった速度論に支配され、最適化には体系理解が必須です。
本講座では、ALDの基礎原理からプロセス最適化の考え方を一日で整理します。理想特性（自己終端反応、面内・深さ方向の均一性、ALD Window）を実現するための着目点と進め方を解説します。さらに、選択成長（ASD）の原理と開発方針に触れ、関連学会の最新動向も概説します。QCMなどのその場観察手法についても解説し、ALDをすぐに使えるようにするための情報を提供します。
【プログラム】
1 薄膜作製プロセス概論
1.1 薄膜の分類と用途
1.2 薄膜作製：ドライプロセスとウェットプロセス
1.3 CVD（Chemical Vapor Deposition）プロセス速度論
1.4 半導体集積回路（ULSI）の微細化・高集積化とALDプロセス採用の流れ
1.5 その他のALD活用事例
2 ALDプロセスの概要・歴史・応用
2.1 ALD（Atomic Layer Deposition）プロセスの概要
2.2 ALD製膜特性（膜質，均一性，再現性，ステップカバレッジ）
2.3 ALDプロセスの歴史的発展
2.4 ALDプロセスの応用事例（最先端ULSI，DRAM，3D NAND等）
2.5 ALD装置形態と装置・材料市場
2.6 ALD製膜可能な材料と原料ガス
2.7 ALE（Atomic Layer Etching）（原子層エッチング）
2.8 ASD（Area Selective Deposition）（選択ALD）
3 ALDプロセスの理想と現実，最適化方針
3.1 ALD Windowとは？
3.2 物理吸着の影響と対策
3.3 反応律速・吸着律速の影響と対策
3.4 原料ガス脱離の影響と対策
3.5 原料ガス熱分解の影響と対策
4 ALDプロセスの高スループット化と課題
4.1 GPC（Growth per Cycle）とCT（Cycle Time）の最適化
4.2 GPCに対する原料ガス吸着の立体障害効果
4.3 ALD理想特性を発現させるための条件（蒸気圧と吸着特性）
5 理想的な原料ガス開発の指針
5.1 蒸気圧推算の基礎
5.2 COSMO-SAC法による蒸気圧推算
5.3 COSMO-SAC法の修正と原料ガス蒸気圧推算結果
5.4 ニューラルネットワークポテンシャルを利用した原子レベルシミュレーションによる原料ガス吸着特性の予測
5.5 原料ガスの特性評価（DTA/TG測定）
6 ALD用反応ガス
6.1 酸化剤の選び方
6.2 窒化剤の選び方
6.3 還元剤の選び方
6.4 ALD Supercycle
7 QCMを用いたガス吸着特性の評価
7.1 QCM（Quartz Crystal Microbalance）を用いたALDその場観察
7.2 QCM（Quartz Crystal Microbalance）の基礎
7.3 QCM測定の高精度化・高速化
7.4 QCMによるTMA（トリメチルアルミニウム）の吸着特性評価（実例紹介）
8 ALDプロセスの初期核発生・成長と選択成長
8.1 初期核発生とインキュベーションサイクル
8.2 インキュベーションサイクルと選択成長
8.3 光反射を利用した初期核発生・成長のその場観察，表面処理の影響
9 ULSI金属多層配線形成におけるALDの活用
9.1 ULSI金属多層配線の課題と対策
9.2 高信頼性多層配線形成へのASD（Area Selective Deposition）の活用
9.3 Co薄膜のALD成長（原料ガス吸着特性と表面反応）
9.4 高選択性ASD実現の基本方針
9.5 表面処理とALEを活用した高選択性Co-ASDプロセス
9.6 Cu配線密着層・バリヤ層としてのCoW膜ALD合成
10 ALD関連学会の情報
10.1 応用物理学会（2025年9月開催）
10.2 ALD/ALE2025国際学会（2025年6月開催）
【質疑応答】
【キーワード】
ALD（原子層堆積），ASD（選択成長），ALE（原子層エッチング），最適プロセス設計指針，原料ガス・反応ガス・装置の選び方，その場観察（QCM，分光測定）
【講演のポイント】
ALDの基礎から最前線までを一日で俯瞰します。ASD・ALEなどの原子層制御技術の基礎から応用まで，また，反応/原料ガスの選び方，装置選定の勘所，その場観察等を実例で解説します。明日から使えるALD最適化知識を持ち帰れます。
＊ 本ニュースリリースに記載された商品・サービス名は各社の商標または登録商標です。
＊ 本ニュースリリースに記載された内容は発表日現在のものです。その後予告なしに変更されることがあります。
以 上