超ウルトラワイドギャップ半導体– tag –
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Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO₂を安価に実現する道を拓く～
Patentix株式会社 Patentix 株式会社（以下「当社」）は、新世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）薄膜をSi基板上に作製することに成功しました。これは次世代パワー半導体r-GeO₂基板の低コスト化を実現するた... -
r-GeO₂半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功
Patentix株式会社 ～r-GeO₂パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～ Patentix 株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）に、イオン注入プロセスによって絶縁性のr-GeO₂結晶膜にn型... -
r-GeO₂半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～
Patentix株式会社 Patentix 株式会社(以下「当社」)では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の成膜時にアクセプタ不純物のドーピングを行うことで、正孔が優勢な電気伝導が生じていることを示唆する結果が得られました。現... -
ルチル型二酸化ゲルマニウムのバルク結晶の合成に成功
Patentix株式会社 Patentix株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されている、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶の合成に成功しました。今回合成に成功したバルク結晶を種結晶として用いて、引き上げ法等の結晶育成装置で大口径...
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