P型半導体– tag –

株式会社FLOSFIA ～世界初、p層を用いたMOSFETでノーマリーオフ10A超の大電流化に成功、実用化に向け前進 株式会社FLOSFIA（本社：京都市、代表取締役社長：四戸孝）は、酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）を用いた次世代パワー半導体開発において、最大の課題とされ...

株式会社FLOSFIA FLOSFIAの最新の量産計画および技術開発に関しまして、お知らせいたします。 株式会社FLOSFIA（本社：京都市西京区、代表取締役社長：人羅俊実）では、パワー半導体として世界的に注目されている酸化ガリウム（α-Ga₂O₃）半導体デバイス開...