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Patentix、日電精密工業との協業により、新製品の有償サンプル出荷を開始製造拠点を日電精密工業 神戸工場に定め、高品質な量産化に向けた第一歩へ
Patentix株式会社 [2025/7/24] 革新的な技術開発を手掛けるPatentix（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊佑）と、精密加工技術で業界をリードする日電精密工業株式会社（本社：岐阜県大垣市、代表取締役社長：吉田圭二）は、本日、Patentixの新製... -
Si基板上にルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）薄膜の作製に成功～次世代半導体材料r-GeO₂を安価に実現する道を拓く～
Patentix株式会社 Patentix 株式会社（以下「当社」）は、新世代のパワー半導体材料として注目されているルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）薄膜をSi基板上に作製することに成功しました。これは次世代パワー半導体r-GeO₂基板の低コスト化を実現するた... -
r-GeO₂半導体におけるイオン注入によるn型導電性の付与に成功
Patentix株式会社 ～r-GeO₂パワーデバイスの製造技術の確立に大きく前進～ Patentix 株式会社（以下「当社」）は、次世代パワー半導体材料として注目されるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）に、イオン注入プロセスによって絶縁性のr-GeO₂結晶膜にn型... -
r-GeO₂半導体のp型導電の可能性を示唆する電気特性を確認～複数の評価手法によるp型導電性実証計画を策定へ～
Patentix株式会社 Patentix 株式会社(以下「当社」)では、次世代パワー半導体材料のルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の成膜時にアクセプタ不純物のドーピングを行うことで、正孔が優勢な電気伝導が生じていることを示唆する結果が得られました。現...
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