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Patentix株式会社 　Patentix株式会社は、新世代のパワー半導体材料として注目されている、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）バルク結晶の合成に成功しました。今回合成に成功したバルク結晶を種結晶として用いて、引き上げ法等の結晶育成装置で大口径...

Patentix株式会社 Patentix株式会社は、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）単結晶薄膜上に、ショットキーバリアダイオードを形成し、その動作を確認することに成功しました。これはr-GeO2で実現された世界初の半導体デバイスであり、r-GeO2パワー半導体...